户外 4G 摄像头，结构做 IP66：灌封胶填满主板仓，加双层密封圈。外壳是压铸铝，理论上散热不差，但改完整机温升还是比裸板高了 15℃。
55℃ 高温老化两小时，发射功率从 23dBm 掉到 21.5dBm，EVM 也变差了。这是散热的问题还是灌胶影响了天线？额定功率要不要往下调？
结论：两个原因都有，而且你这 1.5dB 已经在提示：额定值得按高温实测重新定。
机制：热的路——密封加灌胶后热阻大幅上升，热量只能靠外壳自然对流走，PA 结温升高，芯片的温度补偿把增益往下压，有的还会触发过温降功率。射频的路——灌封胶和密封结构改变了天线附近的介电常数和净空，谐振点偏移，匹配变差，效率跟着掉。这两条在常温下都只掉零点几 dB，看不出来；到 55℃ 才一起显形，所以常温测不出问题很正常。
怎么做：
提醒：额定值要按最高工作温度报，常温那组数是给人看的，不是给现场用的。
灌胶前先贴热电偶试一版，或者做个简单热仿真也行。等模具开了才发现 PA 结温超了，改结构代价太大，这个坑我们交过学费，真不便宜。
高温测功率记得等热平衡，我们一般稳定一小时再读数。刚进箱就读，数据偏高，容易给出一个偏乐观的结论，到了现场根本对不上，还得重测。